单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展

• 作者: 刘俊朋 孙景 杜希文 鲁颖炜
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 单元素半导体 量子点 制备方法 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光、电、磁功能材料
• 页码范围: 225-226,229
• 页数: 3页
• 字数: 3387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.z1.077

摘要

单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能.介绍了单元素半导体量子点的制备方法,包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等;并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型,包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等;另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙景	天津大学材料学院	54	591	14.0	21.0
2	杜希文	天津大学材料学院	27	182	8.0	11.0
3	刘俊朋	天津大学材料学院	3	18	2.0	3.0
4	鲁颖炜	天津大学材料学院	2	8	1.0	2.0