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90nm CMOS用多晶SiGe栅极技术
90nm CMOS用多晶SiGe栅极技术
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摘要：
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基于90nm SOI CMOS工艺的24GHz信号发生器
SOI CMOS
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期刊影响力
今日电子
主办单位：
电子工业出版社
美国国际数据集团
出版周期：
月刊
ISSN：
1004-9606
CN：
11-3227/TM
开本：
大16开
出版地：
北京海淀区中关村南大街乙12号天作国际中心1号楼A座1506-1508
邮发代号：
82-518
创刊时间：
1993
语种：
chi
出版文献量（篇）
4775
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3
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