射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

• 作者: 张军 彭爱华 林洪峰 谢二庆 贺德衍 马紫微
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频溅射 SiC薄膜 结构 表面形貌 场发射
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2780-2785
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.066

摘要

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜,并利用x射线衍射(XRD)和红外(IR)吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,低温制备的SiC薄膜为非晶相,而在高温下(＞800℃),薄膜呈现4HSiC和3C-SiC结晶相.IR谱显示,溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收.此外,还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究,并研究了样品的场发射特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭爱华	兰州大学物理科学与技术学院	3	51	3.0	3.0
2	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
3	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
4	张军	兰州大学物理科学与技术学院	65	414	11.0	18.0
5	马紫微	兰州大学物理科学与技术学院	4	53	4.0	4.0
6	林洪峰	兰州大学物理科学与技术学院	9	79	5.0	8.0