新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器

• 作者: 郑鑫 黄钊洪
• 来源期刊: 测控技术
• 学科: 工学
• 关键词: InSb-In 共晶体薄膜 磁阻效应 振动传感器
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 仪表与传感器——第八届敏感元件与传感器学术会议论文选登
• 页码范围: 10-11
• 页数: 2页
• 分类号: TP212.12
• 字数: 1395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-8829.2004.04.005

摘要

研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60 dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄钊洪	华南师范大学量子电子学研究所	28	175	8.0	12.0
2	郑鑫	华南师范大学量子电子学研究所	1	0	0.0	0.0