稳定的GaAs(2 5 11)高密勒指数表面的电子结构

• 作者: 李新建 杨仕娥 胡行 贾瑜 马丙现
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高密勒指数表面 电子结构 电子数目规则
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3515-3520
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3749字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.052

摘要

采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算.结果表明:对于理想的GaAs(2 5 11)表面,基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域,即-0.1-0.1eV,0.85-1.0eV和1.4-1.6eV之间;吸附两个As原子形成(1×1)再构后,表面态的变化主要表现在0.85-1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则,可以确定处在-0.1-0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的As-As二聚体键的表面态,而处在1.4-1.6eV的表面态为阳离子空的悬挂键态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾瑜	郑州大学物理工程学院郑州大学材料物理教育部重点实验室	54	123	6.0	7.0
2	胡行	郑州大学物理工程学院郑州大学材料物理教育部重点实验室	79	474	13.0	16.0
3	李新建	郑州大学物理工程学院郑州大学材料物理教育部重点实验室	52	218	8.0	13.0
4	杨仕娥	郑州大学物理工程学院郑州大学材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
5	马丙现	郑州大学物理工程学院郑州大学材料物理教育部重点实验室	19	120	6.0	10.0