MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究

• 作者: 吴越颖 周健儿 周小明 张文理 王青 胡跃辉 阴生毅 陈光华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 梯度磁场,洛伦兹拟合,a-Si:H薄膜,MWECR CVD系统
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2263-2269
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 4210字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.07.046

摘要

分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周健儿		180	973	15.0	23.0
2	陈光华	北京工业大学材料科学与工程学院	65	396	11.0	16.0
3	胡跃辉	北京工业大学材料科学与工程学院	8	34	4.0	5.0
4	阴生毅	北京工业大学材料科学与工程学院	9	34	3.0	5.0
5	吴越颖	北京工业大学材料科学与工程学院	4	23	3.0	4.0
6	周小明		6	19	3.0	4.0
7	王青	北京工业大学材料科学与工程学院	9	103	4.0	9.0
8	张文理	北京工业大学材料科学与工程学院	3	12	3.0	3.0