MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究

• 作者: 二宫咎 今西信嗣 薛建明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溅射 溅射产额 飞行时间谱仪 动能分布
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1445-1449
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.033

摘要

利用飞行时间谱仪(TOF)技术测量了1-5MeV Si离子轰击SiO产生的Si+二次离子动能分布和溅射产额.实验发现,当入射离子能量在1-2MeV时,溅射产额随离子能量上升而下降,这个趋势利用核溅射理论可以较好地解释;当入射离子能量高于3MeV时,溅射产额随离子能量上升而增加,电子溅射机理开始占主要地位,并且溅射规律与热峰模型的预期符合.通过对实验结果的综合分析,得到了重离子溅射SiO2的普适溅射产额公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛建明	北京大学重离子物理研究所	27	100	6.0	9.0
5	二宫咎	日本京都大学核工程系	1	2	1.0	1.0
6	今西信嗣	日本京都大学核工程系	1	2	1.0	1.0