ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程

• 作者: 孔祥贵 安立楠 张立功 申德振 郑著宏 金华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnCdSe量子阱 CdSe量子点 激子 隧穿
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3211-3214
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.071

摘要

用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运-探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究,观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过程.在ZnSe垒宽为10nm, 15nm, 20nm时,测得激子隧穿时间分别为1.8ps, 4.4ps, 39ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立功	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	19	71	5.0	7.0
2	孔祥贵	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	33	237	9.0	13.0
3	郑著宏	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	14	42	3.0	6.0
4	安立楠	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	4	14	3.0	3.0
5	金华	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室	4	46	2.0	4.0