Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究

• 作者: 缪中林 袁先漳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al GaAs 原位光调制反射光谱(PR) 分子束外延(MBE)
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3521-3524
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2659字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.053

摘要

用分子束外延(MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段,研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响.根据跃迁峰的变化,采用有效质量近似理论计算出了Al和GaAs的互扩散长度为0.5nm,这是半导体工艺中的一个重要常数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁先漳	温州师范学院物理与电子信息学院	2	4	1.0	2.0
2	缪中林	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室	4	5	2.0	2.0