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摘要:
由于GaN薄膜有希望应用在紫外或蓝光发光器件、探测器以及高速场效应晶体管、高温电子器件,GaN材料是当前研究的一个焦点.本文简要介绍了GaN薄膜的制备、衬底选择、掺杂、缓冲层、发光机制和表征等方面的最新进展,指出GaN材料进一步发展需要解决的关键技术问题.
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沉积气压
GaN微电子器件的研究进展
GaN
GaN材科
GaN器件
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaN薄膜的研究进展
来源期刊 功能材料 学科 物理学
关键词 GaN薄膜 研究进展 发光机制
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 537-540,544
页数 5页 分类号 O484
字数 4789字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 马瑾 山东大学物理与微电子学院 44 495 13.0 20.0
2 马洪磊 山东大学物理与微电子学院 58 681 15.0 23.0
3 刘建强 山东大学物理与微电子学院 47 225 8.0 12.0
4 刘晓梅 山东大学计算机科学与技术学院 9 128 5.0 9.0
5 杨莺歌 山东大学物理与微电子学院 8 124 5.0 8.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
GaN薄膜
研究进展
发光机制
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
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