W浆料中SiO2含量对AlN共烧基板烧结性能的影响

• 作者: 崔嵩 张经国 杨邦朝 胡永达 蒋明
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 氮化铝 多层共烧 导带浆料
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 本期专题:电子封装材料
• 页码范围: 88-90
• 页数: 3页
• 字数: 3402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.06.027

摘要

研究了在AlN多层布线共烧基板中,W-SiO2浆料体系中SiO2含量对共烧基板烧结性能的影响.结果表明SiO2的质量分数在0.45%时,AlN多层布线共烧基板的导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/50mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0
2	胡永达	电子科技大学微电子与固体电子学院	61	1556	20.0	39.0
3	蒋明	电子科技大学微电子与固体电子学院	25	131	7.0	11.0
4	崔嵩		8	33	3.0	5.0
5	张经国		5	12	1.0	3.0