C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响

• 作者: 叶超 宁兆元 程珊华 许圣华 辛煜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜 直流伏安特性 C=C双键
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1496-1500
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.041

摘要

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的电学性质.发现对于不同C-Fx含量的薄膜,C=C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响.薄膜的直流I-V特性呈现I=aV+bVn规律,是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程.由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关,而a-C:F薄膜中C=C的含量决定带尾态密度的分布,因此a-C:F薄膜在高场下的空间电荷限流是由薄膜中C=C决定的导电过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁兆元	苏州大学物理科学与技术学院	70	528	12.0	18.0
2	辛煜	苏州大学物理科学与技术学院	38	176	8.0	10.0
3	许圣华	苏州大学物理科学与技术学院	9	137	4.0	9.0
4	叶超	苏州大学物理科学与技术学院	33	244	10.0	14.0
5	程珊华	苏州大学物理科学与技术学院	30	347	11.0	17.0