种子层厚度对以NiFeNb为新种子层的坡莫合金薄膜的零场电阻率和AMR的影响

• 作者: 代波 刘俊 段昌奎 郑瑞伦
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 新种子层 零场电阻率 AMR
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 706-708
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.06.014

摘要

制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构.研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化.探讨了d 影响ρ和AMR的微观机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑瑞伦	西南师范大学物理系	46	181	8.0	10.0
2	刘俊	重庆邮电学院光电工程学院信息电子学研究所	54	391	8.0	18.0
6	段昌奎	重庆邮电学院光电工程学院信息电子学研究所	12	61	5.0	7.0
7	代波	中国科学院物理所国家磁性重点实验室	6	27	3.0	5.0