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摘要:
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响.目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一.本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n型的作用机理、对p型ZnO制备的影响及点缺陷对薄膜绿光发光的贡献.
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文献信息
篇名 氧化锌中的本征点缺陷对材料光电性能的影响
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 本征点缺陷 本征n型 p型ZnO 绿光
年,卷(期) 2004,(9) 所属期刊栏目 本期专题:半导体材料
研究方向 页码范围 79-82
页数 4页 分类号 TN304.2|O474|O482.3
字数 5601字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.09.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱大中 浙江大学信电系微电子技术与系统设计研究所 43 188 8.0 11.0
2 沈相国 浙江大学信电系微电子技术与系统设计研究所 9 37 3.0 5.0
3 章炜巍 浙江大学信电系微电子技术与系统设计研究所 2 22 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
本征点缺陷
本征n型
p型ZnO
绿光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
总被引数(次)
145687
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导