BST类铁电薄膜的最低晶化温度和自装生长研究

• 作者: 张鹰 李言荣 李金隆 熊杰 邓新武
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁电薄膜 BST 外延生长 LMBE
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1260-1263
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1|O484.5
• 字数: 2218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.354

摘要

利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)单晶基片上在(10-5pa)高真空环境中外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280℃、330℃、340℃的低温下实现外延层状生长.当保持BTO(110)/Si(111)层状生长,逐渐降低沉积速率时,发现这种层状模式中每层高度是由整数倍单胞堆积而成,并且随着沉积速率从0.017nm/s降低到0.005nm/s时,每层高度由9降低到1个BTO单胞构成,这对由ABO3钙钛矿材料自组装形成纳米结构具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	邓新武	电子科技大学微电子与固体电子学院	17	97	5.0	9.0
3	李金隆	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	66	5.0	7.0
4	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
5	熊杰	电子科技大学微电子与固体电子学院	41	205	6.0	12.0