晶界对低压电解电容器铝箔腐蚀结构的影响

• 作者: 余永宁 李云峰 毛卫民 萨丽曼 陈垒
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电解电容器 铝箔 晶界 腐蚀结构
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TG166.3
• 字数: 3141字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2004.01.001

摘要

采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理.结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成腐蚀结构的不均匀性并降低比电容.该晶界优先腐蚀的现象起因于晶界的高缺陷密度和与之相应的腐蚀电流密度的局部集中.增加晶界密度可以降低杂质原子偏聚程度和电流密度分布的不均匀性,因此在一些特定的电化学腐蚀条件下可以借助减小晶粒尺寸的方式提高比电容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛卫民	北京科技大学材料学系	351	4505	35.0	51.0
2	余永宁	北京科技大学材料学系	19	318	10.0	17.0
3	陈垒	北京科技大学材料学系	1	32	1.0	1.0
4	萨丽曼	北京科技大学材料学系	1	32	1.0	1.0
5	李云峰	北京科技大学材料学系	1	32	1.0	1.0