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摘要:
研究了氧分压对ZnO薄膜温差电动势的影响.用直流反应磁控溅射方法成功地制备了C轴取向性能良好的ZnO薄膜.实验研究发现,温差电动势和磁温差电动势随温度的变化呈线形关系.氧分压越大,温差电动势率越小.研究结果还表明,磁温差电动势比温差电动势小.
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文献信息
篇名 氧分压对ZnO薄膜温差电动势的影响
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 ZnO薄膜 温差电动势 磁温差电动势 PVD 温差电动势率
年,卷(期) 2004,(z3) 所属期刊栏目 纳米技术及新型材料
研究方向 页码范围 93-95
页数 3页 分类号 TB3
字数 1464字 语种 中文
DOI
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研究主题发展历程
节点文献
ZnO薄膜
温差电动势
磁温差电动势
PVD
温差电动势率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导