InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究

• 作者: 何军 刘峰奇 张春玲 徐波 朱天伟 王占国 谢二庆 赵凤瑷
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 柱形岛 生长停顿 间隔层厚度 PL谱
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 301-305
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.01.057

摘要

利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.