化学氧碘激光器光学基片材料的光致热畸变特性

• 作者: 余文峰 周次明 张虎 彭玉峰 盛朝霞 程祖海
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学与激光技术 化学氧碘激光器 窗口材料 热畸变
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光束传输与控制,材料、薄膜及元器件
• 页码范围: 492-494
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.5
• 字数: 1267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.164

摘要

利用格林函数解析法对强激光辐照下的光学材料Al2O3、CaF2、Si、SiO2四种基片的温度场分布以及热畸变特性进行了分析与讨论.计算结果表明:在10lW激光功率、辐照时间为5 s情况下,Al2O3、CaF2、Si、SiO2基片中心处最大温升分别为5.6℃、6.0℃、35.1℃、26.6℃;基片中心最大热畸变量分别为:0.28μm,0.99μm,040μm,0.14μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭玉峰	河南师范大学物理与信息工程学院	57	305	8.0	15.0
2	程祖海	华中科技大学激光技术国家重点实验室	97	785	14.0	21.0
3	张虎	河南师范大学物理与信息工程学院	15	106	6.0	10.0
4	周次明	华中科技大学激光技术国家重点实验室	12	95	7.0	9.0
5	余文峰	华中科技大学激光技术国家重点实验室	25	142	7.0	10.0
6	盛朝霞	河南师范大学物理与信息工程学院	3	56	2.0	3.0