准一维电子通道中声电电流的理论计算

• 作者: 李玲 高宏雷 高洁
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3504-3509
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.050

摘要

表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似,计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流;并在此基础上,详细讨论了表面声波的频率和功率,以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玲	四川大学物理科学与技术学院	66	169	7.0	10.0
2	高洁	四川大学物理科学与技术学院	49	316	9.0	16.0
3	高宏雷	四川大学物理科学与技术学院	3	6	2.0	2.0