磁耦合效应对半无限超晶格中表面电子态的影响

• 作者: 帅志刚 王玲玲 胡望宇 陈克求 黄维清
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格中的电子态 表面态 磁场
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2330-2335
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.07.058

摘要

在有效质量近似理论下,采用有效垒高方法,研究了在沿超晶格生长方向加一有限磁场时磁耦合效应对半无限半导体超晶格中表面电子态的影响.当考虑超晶格中阱层和垒层之间电子有效质量的差别时,沿超晶格生长方向的磁场将导致磁耦合效应的出现.研究结果表明,磁耦合效应不仅引起表面电子能级的量子化,而且表面电子能级的大小及其在表面附近的局域程度也依赖于磁场的大小和朗道指数.此外,研究表明布洛赫波数的虚部可以作为一个衡量表面电子态局域程度的物理量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玲玲	湖南大学应用物理系	74	732	15.0	23.0
2	胡望宇	湖南大学应用物理系	55	530	14.0	20.0
3	帅志刚	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	10	27	4.0	4.0
4	黄维清	湖南大学应用物理系	23	195	7.0	13.0
8	陈克求	中国科学院化学研究所有机固体重点实验室	1	6	1.0	1.0