不连续Co/SiO2多层膜的结构及其输运性质的研究

• 作者: 刘春明 姜丽仙 寇晓明 李成贤 李斌生 葛世慧
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 不连续磁性金属/绝缘体多层膜 隧道磁电阻效应
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3555-3559
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.060

摘要

用射频磁控溅射方法制备了系列Co/SiO2不连续磁性金属绝缘体多层膜(DMIM).经研究发现:对[SiO2(2.4 nm)/Co(t)]20体系,在Co层厚度小于2.5 nm时,Co层由连续变为不连续;Co层不连续时,其导电机理为热激发的电子隧穿导电,lnR与T-1/2接近正比关系; 隧道磁电阻(TMR)在Co层厚度为1.4 nm时出现极大值-3%.DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关,而且与绝缘层厚度有密切的关系.在固定Co层厚度为1.9 nm的情况下,研究了TMR随SiO2层厚度的变化关系,并给出定性的解释.对[SiO2(2.4 nm)/Co(2.0 nm)]20的样品研究了TMR随温度的变化关系,发现TMR随温度的变化有一极大值,结合Helman 的理论(Phys.Rev.Lett,37,1429 (1976)),认为是颗粒之间存在磁性耦合的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛世慧	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	18	75	5.0	8.0
2	李成贤	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	10	78	5.0	8.0
3	寇晓明	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	刘春明	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	姜丽仙	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0
6	李斌生	兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0