反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究

• 作者: 张庆瑜 李智 马春雨
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应RF磁控溅射法 氧化锆薄膜 表面粗糙度 高介电常数
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 453-456
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4089字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.04.018

摘要

在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜.通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的G-V特性曲线.实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系.纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=y=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1 : 4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1 : 4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李智	大连大学机械工程系	40	459	13.0	18.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0