La、V掺杂对SrBi4Ti4O15性能影响对比研究

• 作者: 朱骏 赵成 陈小兵
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SrBi4Ti4O15 掺杂 铁电性能 居里温度
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 610-612
• 页数: 3页
• 分类号: O482.54|TM271.4
• 字数: 3265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.027

摘要

采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00～1.00、0.00～0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构.A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能.La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2Pr)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%.少量的V取代SBTi的B位Ti离子后,2Ec虽无明显变化,但2Pr却可增大近两倍,并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降.这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵成	扬州大学物理科学与技术学院	9	23	3.0	4.0
2	陈小兵	扬州大学物理科学与技术学院	56	224	8.0	11.0
4	朱骏	扬州大学物理科学与技术学院	30	125	7.0	9.0