低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

• 作者: 任琮欣 冯涛 宋志棠 张正选 柳襄怀 江炳尧 蒋军 郑里平
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束辅助沉积 Pt膜 择优取向
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 774-775,778
• 页数: 3页
• 分类号: TG174.444
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.06.039

摘要

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.