微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

• 作者: 何军辉 赵学安
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 格林函数 交流电导 电化学电容
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1201-1206
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.042

摘要

采用有效哈密顿量和有相互作用的分立势模型,利用格林函数和耦合参量得出了量子点(腔)在有结边电荷积累极化时的线性和二阶非线性交流电导虚部(emittance)的明确表达式.发现在经典情况下,电导虚部和电化学电容都等于经典的几何电容.在非经典情况下,如果发生全反射,电导虚部和电化学电容相等,但两者皆不等于经典的几何电容.在有隧穿的情况下,电导虚部和电化学电容以及经典电容三者都不相等.该结果对于量子器件中的电容测量具有指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何军辉	浙江大学物理系	6	19	2.0	4.0
2	赵学安	浙江大学近代物理中心	3	1	1.0	1.0