热处理温度对TbFe2/Fe交换耦合磁致伸缩多层膜的影响

• 作者: 张万里 张文旭 张金平 彭斌 杨仕清 蒋洪川
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜 交换耦合 磁致伸缩系数
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 296-297,301
• 页数: 3页
• 分类号: TM271
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.03.010

摘要

采用直流磁控溅射在20mm×5mm×240μm抛光单晶硅片上制备了TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜,主要研究了热处理温度对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数的影响.采用量热分析法(DSC)、XPS以及光杠杆测试法对TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的晶化曲线、成分随深度的变化以及磁致伸缩系数进行了分析与测试.结果表明:TbFe2薄膜的起始晶化温度为327℃,晶化温度为372℃;TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜的最佳热处理温度为327℃,在此热处理温度下热处理60min,外加磁场1.6×104A/m时,TbFe2/Fe磁致伸缩多层膜磁致伸缩系数可达1.56×10-4.采用XPS分析了一个周期的TbFe2/Fe成分随薄膜深度的变化,未经热处理的薄膜Fe层和TbFe2层之间界面清晰,两层之间有少量的扩散.经327℃热处理60min的薄膜Fe层和TbFe2层界面发生了互扩散,原子数之比也发生了改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金平	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	83	5.0	8.0
2	蒋洪川	电子科技大学微电子与固体电子学院	74	586	12.0	19.0
3	杨仕清	电子科技大学微电子与固体电子学院	43	401	10.0	18.0
4	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
5	彭斌	电子科技大学微电子与固体电子学院	87	638	12.0	21.0
6	张文旭	电子科技大学微电子与固体电子学院	35	302	9.0	16.0