(100)MgO和(100)LaAlO3高温超导基片材料THz时域光谱研究

• 作者: 张存林 张希成 沈京玲 胡颖
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: THz时域光谱 基片 复折射率 复介电系数 介电损耗
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 1772-1776
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.06.030

摘要

THz波段位于微波与红外之间,该波段电磁波与物质的相互作用是一个崭新的研究领域.应用THz时域光谱技术研究了两种重要的单晶基片材料(100)MgO和(100)LaAlO3的THz光谱.在0.2-2THz频率范围,得到这两种材料在THz波段的光学参数.结果表明,在THz波段MgO基片材料的折射率-n和介电系数-ε不随频率的变化而变化,而LaAlO3基片材料的折射率和介电系数随着频率的增加而略有增加.在1THz频率处,测得MgO的复折射率n=3.46+i0.001,复介电系数-ε=12.27+i0.06;LaAlO3的复折射率-n=4.78+iO.02,复介电系数-ε=22.5+i0.2.在THz波段,LaAlO3基片的介电损耗tanδ约为MgO的5倍,且两者的介电损耗值均小于0.01,说明MgO和LaAlO3材料作为高温超导器件基片材料可以工作于THz波段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡颖	首都师范大学物理系	11	168	7.0	11.0
2	沈京玲	首都师范大学物理系	48	701	18.0	25.0
3	张存林	首都师范大学物理系	111	1730	24.0	35.0