高择优取向硅基含钾铌酸锶钡(K:SBN)薄膜的制备与性能

• 作者: 叶辉 曹晓燕 邓年辉 郭冰 顾培夫
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铌酸锶钡 溶胶-凝胶方法 择优取向
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2363-2367
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.07.064

摘要

采用NbCl5作为先驱物,利用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上成功获得高度择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜.与用Nb(OC2H5)5作为先驱物的SBN薄膜相比,NbCl5配制的薄膜前驱溶液中含有一定数量的K离子.K离子的含量对SBN薄膜取向的影响存在一个最优值.二次离子质谱测试发现,K离子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透能够同时使SBN晶胞和Si晶胞产生微小扭曲,从而起到调整薄膜与衬底的匹配关系,并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长.测试了薄膜的光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶辉	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	50	406	9.0	18.0
2	顾培夫	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	141	1761	23.0	34.0
3	曹晓燕	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	5	22	3.0	4.0
4	郭冰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	6	19	2.0	4.0
5	邓年辉	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	1	6	1.0	1.0