以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

• 作者: 余云鹏 余楚迎 姚若河 林揆训 林璇英 王照奎 魏俊红 黄文勇 黄锐
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 多晶硅薄膜 SiCl4 生长速率 晶化度
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 613-614,617
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1|O484.4|O484.5
• 字数: 2033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.028

摘要

报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余云鹏	汕头大学物理系	27	230	8.0	14.0
2	林璇英	汕头大学物理系	40	400	10.0	18.0
3	黄锐	汕头大学物理系	9	73	5.0	8.0
4	姚若河	华南理工大学应用物理系	126	611	11.0	18.0
5	林揆训	汕头大学物理系	29	339	9.0	18.0
6	王照奎	汕头大学物理系	7	40	4.0	6.0
7	魏俊红	汕头大学物理系	5	42	4.0	5.0
8	黄文勇	广东韩山师范学院物理系	2	28	2.0	2.0