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摘要:
利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结构的对应关系,计算出表面的晶体学参数,同时采用激光分子束外延技术同质外延生长SrTiO3薄膜,根据RHEED衍射图样及强度振荡曲线实时监控薄膜的生长.
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文献信息
篇名 外延薄膜生长的实时监测分析研究
来源期刊 功能材料 学科 物理学
关键词 薄膜生长 实时监测 RHEED
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 265-266,270
页数 3页 分类号 O484.1|O484.5
字数 1733字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.02.046
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张鹰 电子科技大学微电子与固体电子学院 47 169 7.0 9.0
2 邓新武 电子科技大学微电子与固体电子学院 17 97 5.0 9.0
3 李金隆 电子科技大学微电子与固体电子学院 12 66 5.0 7.0
4 李言荣 电子科技大学微电子与固体电子学院 115 824 15.0 21.0
5 刘兴钊 电子科技大学微电子与固体电子学院 56 310 9.0 14.0
6 陶伯万 电子科技大学微电子与固体电子学院 39 165 5.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
薄膜生长
实时监测
RHEED
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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