MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展

• 作者: 叶志镇 赵浙
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN薄膜 p型掺杂 综述 自补偿模型 共掺杂工艺
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 4-6
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2891字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.08.002

摘要

p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺.使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意.最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展.介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵浙	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	17	2.0	3.0