镧含量对PLZT陶瓷材料结构及性能的影响

• 作者: 张勇 殷庆瑞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: PLZT陶瓷 镧含量 相结构 铁电性 透过率
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1557-1560
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.438

摘要

采用热压气氛烧成工艺,制备不同镧含量的PLZT(x/40/60,7≤x≤13)透明陶瓷材料.在相同工艺条件下,研究镧含量与晶粒尺寸的关系,PLZT陶瓷材料的结构以及电学、光学性能.实验结果表明,镧元素可以有效地促进晶粒尺寸长大.提高材料的光学透过率.镧含量的增加,使样品的相结构呈现由四方相向赝立方相转化趋势,材料的铁电性发生变化,剩余极化值Pr以及矫顽场强Ec减小,材料由"硬性"向"软性"转化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷庆瑞	中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室	49	684	15.0	24.0
2	张勇	景德镇陶瓷学院材料工程系	6	30	4.0	5.0