磁控溅射Ge薄膜的结晶特性研究

• 作者: 俞帆 杨宇 邓书康 阚家德 陈亮 陈刚 高立刚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Ge薄膜 XRD Raman散射光谱 晶粒尺寸 声子限域理论
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1097-1099,1106
• 页数: 4页
• 分类号: O76
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.306

摘要

采用直流磁控溅射技术制备了不同衬底温度下的Ge单层膜,XRD分析结果表明,当衬底温度低于350℃时Ge膜为非晶结构,高于400℃时开始结晶.并研究了不同尺寸Ge颗粒的Ramah散射谱特征,与晶体Ge的散射谱相比,观察到纳米Ge颗粒Raman散射谱的峰位红移与峰形宽化现象;并根据Raman谱的红移量计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,采用声子限域理论较好地解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	俞帆	云南大学材料科学与工程系	19	171	8.0	12.0
3	阚家德	云南大学材料科学与工程系	21	92	6.0	8.0
4	陈亮	云南大学材料科学与工程系	10	84	4.0	9.0
5	邓书康	云南大学材料科学与工程系	4	22	2.0	4.0
6	陈刚	云南大学材料科学与工程系	16	68	5.0	7.0
7	高立刚	云南大学材料科学与工程系	5	26	3.0	5.0