纳米晶化对CoNbZr薄膜结构及阻抗的影响

• 作者: 唐晓莉 张万里 张怀武 文歧业 蒋向东
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜 软磁膜 纳米晶化
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TM27
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.01.015

摘要

采用独特的快速循环纳米晶化技术,对直流磁控溅射制备的非晶CoNbZr软磁膜,进行纳米晶化.研究了在不同的纳米晶化工艺条件下,薄膜的微观结构和阻抗性能.CoNbZr软磁薄膜晶粒细化到30nm,阻抗值从20Ω增加到100Ω(1400MHz),阻抗共振峰向低频移动200MHz左右,极大改善了薄膜的软磁性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张怀武	电子科技大学微电子与固体电子学院	294	2211	20.0	32.0
2	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
3	蒋向东	电子科技大学微电子与固体电子学院	34	154	6.0	10.0
4	唐晓莉	电子科技大学微电子与固体电子学院	38	272	10.0	15.0
5	文歧业	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	22	2.0	4.0