稳定In/Si表面的LEED研究

• 作者: 姜金龙 李文杰 杨威生 盖峥 赵汝光
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅表面 铟 稳定表面 家族领地
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 521-526
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.036

摘要

利用LEED图形拟合的方法对大量不同取向In/Si表面的稳定性和小面化进行了研究,新发现了In覆盖度在1/2单层原子以下的三个稳定表面:Si(214)-In,Si(317)-In和Si(436)-In,以及In覆盖度在1单层原子左右的两个稳定表面Si(101)-In和Si(313)-In.此外还确定了In覆盖度在1单层原子左右的6个稳定In/Si表面的家族领地以及In覆盖度在1/2单层原子以下的4个稳定In/Si表面的家族领地.特别值得注意的是 Si(103)-In的家族领地相当大,甚至比最稳定的Si(111)7×7表面的还大些.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨威生	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	7	81	3.0	7.0
2	李文杰	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	7	15	2.0	3.0
3	姜金龙	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	盖峥	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	3	7	2.0	2.0
5	赵汝光	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	5	9	2.0	3.0