电子束蒸发a-Si:Co薄膜的离子注入改性研究

• 作者: 刘焕林 杨宇 陈刚 马铁英
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si∶Co薄膜 离子注入 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 576-578,581
• 页数: 4页
• 分类号: O43|TB31
• 字数: 3414字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.05.015

摘要

用电子束蒸发技术制备非晶硅薄膜,不同剂量Co离子注入后真空退火改性.X射线衍射法分析了样品的物相变化特征,发现Co离子注入可诱导非晶硅结晶,有一优化注入剂量5×1016ions/cm-2,使晶化Si(111)峰最强.还测量了非晶硅薄膜电阻率,揭示薄膜电阻温度系数随Co离子掺杂浓度和退火温度改变的规律;在退火温度500℃,离子注入量5×1015ions/cm-2条件下,获得TCR系数高达-2.5%的薄膜材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学材料科学与工程系	101	377	9.0	12.0
2	陈刚	云南大学材料科学与工程系	16	68	5.0	7.0
3	刘焕林	云南大学材料科学与工程系	8	88	6.0	8.0
4	马铁英	云南大学材料科学与工程系	1	4	1.0	1.0