六方InN薄膜的载流子输运特性研究

• 作者: 沈文忠 潘葳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InN薄膜 载流子输运 晶界势垒模型 拉曼散射
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1501-1506
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.042

摘要

通过变温(10-300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程.在晶界势垒模型的基础上,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的.从获得的InN薄膜晶界势垒高度,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度,结果与显微拉曼散射实验结果相一致,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈文忠	上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室	35	210	7.0	13.0
2	潘葳	上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室	7	14	3.0	3.0