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摘要:
利用传统陶瓷工艺制备出BST(65/35)倒筒靶,采用射频溅射法沉积薄膜.开展了对Pt/Ti/SiO2/Si基底热处理工艺与BST同质缓冲层研究,总结出了可以确保基底界面性能良好、BST薄膜结构致密的工艺方法.介电性能测试表明:BST薄膜的介电常数约为60~70,介电损耗为1.5%~2.5%,居里温度为284K,介电温度系数(TCD)为0.5%.漏电流测试表明:在1MV/cm电场下,漏电流密度为1.9×10-6A/cm2.
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文献信息
篇名 非制冷红外探测器用BST薄膜的制备与性能研究
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 BST薄膜 射频溅射 低温沉积 红外探测器
年,卷(期) 2004,(z1) 所属期刊栏目 电功能材料及其应用
研究方向 页码范围 1344-1348
页数 5页 分类号 TN384
字数 2539字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.377
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李言荣 电子科技大学微固学院 115 824 15.0 21.0
2 张万里 电子科技大学微固学院 142 705 13.0 17.0
3 刘兴钊 电子科技大学微固学院 56 310 9.0 14.0
4 吴传贵 电子科技大学微固学院 27 96 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
BST薄膜
射频溅射
低温沉积
红外探测器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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