AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究

• 作者: 周春红 孔月婵 席冬娟 张荣 施毅 江若琏 沈波 邓咏桢 郑有炓 陈鹏 韩平 顾书林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 界面陷阱态 AlN-Si 电容-频率谱
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3888-3894
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.050

摘要

利用Al-AlN-Si(111)MIS结构电容-频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN-Si异质结构中的电荷陷阱态.揭示了AlN-Si异质结构界面电荷陷阱态以及AIN层中的分立陷阱中心.结果指出:AIN层中存在Et-Ev=2.55eV的分立陷阱中心;AlN-Si界面陷阱态在Si能隙范围内呈连续分布,带中央态密度最低,Nss为8×1011eV-1cm-2,对应的时间常数τ为8×10-4s,俘获截面σn为1.58×10-14cm2;在AlN界面层存在三种陷阱态,导致Al-AlN-Si异质结构积累区电容的频散.