HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究

• 作者: 何力 李志锋 沈学础 胡晓宁 蔡炜颖 陆卫 陈效双 陈贵宾
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-n结 离子注入 碲镉汞薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 911-914
• 页数: 4页
• 分类号: TN21
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.03.049

摘要

在中波响应波段的p型Hg0.709Cd0.291Te(MCT)分子束外延生长薄膜上,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积(500μm×500μm)的n-op-p结.通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流-电压特性和对零偏微分电阻R0分析,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系.在另一片薄膜材料(镉组分值为0.2743)上通过该方法获得R0A优于现有常规数值的探测器单元.