电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列

• 作者: 刘爱民 李国庆 杜晓书 潘萌 郭凡
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学刻蚀 多孔InP 多孔硅 SEM
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1145-1147
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 1447字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.321

摘要

电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.