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非晶SiO2纳米线的气相合成及其发光
非晶SiO2纳米线的气相合成及其发光
作者:
侯建国
张琨
王兵
陈翌庆
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
非晶SiO2纳米线
热燕发法与溶胶-凝胶法
光致发光谱(PL)
氧空位缺陷中心
量子尺寸效应
摘要:
热蒸发法与溶胶-凝胶法相结合,成功制备出大量非晶SiO2纳米线.这些纳米线的直径在10~200nm范围内,长度可达几十或几百微米.借助于低温(14K)光致发光谱(PL),我们发现平均直径为150hm和15nm的非晶SiO2纳米线表现出极大的不同.前者的发光谱带可分解为峰值分别在494nm(2.51eV)和429nm(2.89eV)附近的两个蓝光发射带.而后者除了在496nm(2.5eV)有一个宽的蓝光带外,在375nm(3.32eV)、385nm(3.22eV)和395nm(3.13eV)处还表现出三个明显的紫外发光峰位.这些蓝光带的产生是由于非晶SiO2纳米线中的氧空位缺陷中心引起的,但紫外发光峰产生的原因尚需进一步研究.此外,直径为15nm的非晶SiO2纳米线的发光强度是直径为150nm的纳米线的6倍多,表现出明显的量子尺寸效应.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
非晶SiO2纳米线的气相合成及其发光
来源期刊
功能材料
学科
化学
关键词
非晶SiO2纳米线
热燕发法与溶胶-凝胶法
光致发光谱(PL)
氧空位缺陷中心
量子尺寸效应
年,卷(期)
2004,(z1)
所属期刊栏目
纳米功能材料及其应用
研究方向
页码范围
2804-2808
页数
5页
分类号
O633
字数
3495字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.785
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈翌庆
合肥工业大学材料科学与工程学院
94
576
12.0
16.0
3
侯建国
中国科技大学结构分析重点实验室
5
5
1.0
2.0
4
王兵
中国科技大学结构分析重点实验室
5
6
1.0
2.0
7
张琨
中国科技大学结构分析重点实验室
1
4
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2001(1)
参考文献(1)
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参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2005(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
2009(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2010(5)
引证文献(0)
二级引证文献(5)
2011(4)
引证文献(2)
二级引证文献(2)
2012(1)
引证文献(0)
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2013(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
2016(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
非晶SiO2纳米线
热燕发法与溶胶-凝胶法
光致发光谱(PL)
氧空位缺陷中心
量子尺寸效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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