Mg2Si与掺杂系列的电子结构与热电性能研究

• 作者: 朱磊 邢学玲 闵新民
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 硅化镁 掺杂 电子结构 热电性能
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1154-1155,1159
• 页数: 3页
• 分类号: O641
• 字数: 1606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.324

摘要

用离散变分密度泛函分子轨道方法(DFT-DVM)计算了Mg2Si与掺Sb,Te和Ag系列,讨论了电子结构与热电性能之间的关系.掺杂使得离子键和共价键强度降低,在费米能级附近的能隙变小,从而提高材料电导率,降低材料热导率,优化了材料的热电性能.以上结论与实验结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱磊	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	16	159	5.0	12.0
2	闵新民	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	33	297	11.0	15.0
3	邢学玲	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	9	67	5.0	8.0