CdIn2O4薄膜性质及其应用研究

• 作者: 张津
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: CdIn2O4薄膜 退火处理 电阻率 气敏性
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1193-1195
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1492字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.335

摘要

利用射频反应溅射法在玻璃衬底上在Ar和O2气氛中从Cd-In合金靶上制备出了CdIn2O4薄膜.实验结果表明退火处理对CdIn2O4薄膜的光电性质有重要的影响.退火处理进一步降低了CdIn2O4膜的电阻率,在可见光区域内该膜的最高光透射率超过了90%.研究还发现CdIn2O4膜电阻在CO气氛中十分敏感的发生变化,并且提高温度和在膜上生长不连续的Pt粒子可进一步增强气敏特性.实验研究还表明CdIn2O4膜气敏传感器响应时间比通用的气敏元件快得多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张津	重庆工学院材料科学与工程学院	57	883	19.0	28.0