PECVD法制备微晶硅薄膜的研究

• 作者: 张德贤 林列 蔡宏琨 郝延明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 太阳电池 微晶硅 电导率 光学带隙
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源和化学功能材料及其应用
• 页码范围: 1938-1940
• 页数: 3页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.539

摘要

对等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si)薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究.从拉曼谱中可以明显看出,随着功率的增大,N型材料的非晶肩逐渐减小,材料的晶化率增大.随着温度的升高,P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝延明	天津师范大学物理与电子信息学院	22	58	5.0	6.0
2	林列	南开大学信息学院	22	59	4.0	6.0
3	蔡宏琨	天津师范大学物理与电子信息学院	3	8	2.0	2.0
4	张德贤	南开大学信息学院	22	77	5.0	8.0