CdZnTe核辐射探测器表面物理和化学钝化研究

• 作者: 张明龙 李万万 桑文斌 葛艳辉 金玮 闵嘉华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 核辐射探测器 钝化 类金刚石薄膜 漏电流
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 467-469
• 页数: 3页
• 分类号: TL814
• 字数: 2291字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.04.023

摘要

表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH-KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化.借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系.AES结果表明KOH-KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果.CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的.DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学嘉定校区电子信息材料系	53	535	15.0	20.0
2	张明龙	上海大学嘉定校区电子信息材料系	24	165	8.0	11.0
3	闵嘉华	上海大学嘉定校区电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
4	李万万	上海大学嘉定校区电子信息材料系	12	98	6.0	9.0
5	葛艳辉	上海大学嘉定校区电子信息材料系	4	25	3.0	4.0
6	金玮	上海大学嘉定校区电子信息材料系	4	55	3.0	4.0