化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究

• 作者: 张之圣 张景阳 王兴 田斌 胡明
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 化学刻蚀 应力 微裂纹
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 223-224
• 页数: 2页
• 分类号: TN402
• 字数: 1850字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.02.031

摘要

应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落.腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	139	1336	19.0	28.0
2	张之圣	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	57	580	15.0	21.0
3	王兴	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	5	60	2.0	5.0
4	田斌	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	14	269	9.0	14.0
5	张景阳	天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系	3	70	3.0	3.0