电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

• 作者: 孙小卫 曾祥斌 李俊峰 齐国钧
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电场增强晶化 多晶硅薄膜 金属诱导晶化 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 电功能材料及其应用
• 页码范围: 1172-1175,1179
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3778字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.329

摘要

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
2	孙小卫	南洋理工大学电气与电子工程学院	3	26	1.0	3.0
3	李俊峰	南洋理工大学电气与电子工程学院	2	1	1.0	1.0