Si基底上TiN膜不同参数(分压,膜厚,束流强度)下的PAT缺陷分析

• 作者: 冯宏剑 赵杰
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: IBAD PAT 缺陷
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 能源和化学功能材料及其应用
• 页码范围: 2138-2140
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 1309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.591

摘要

用IBAD(ion beam assisted deposition)方法镀TiN膜不但有很好的膜基结合力,而且纳米硬度、耐腐、耐磨性能可通过高低能结合的方法来提高.本文作者用PAT(positron annihilation technique)技术分析了在同一高低能条件下不同参数对Si基底的缺陷的影响,解释并论证了改进实验的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物电学院凝聚态物理中心	40	171	8.0	11.0